下一代光伏主流技能
HDT异质结太阳能电池技能将成为将来光伏主流技能
利用该技能转换服从已达
继续低落终端利用本钱
助推异质结财产化历程减速
HDT太阳能电池技能上风
◎ 高温制程：高温工艺流程，最高不凌驾220ºC，制程能耗少；
◎ 异质结发射极：宽带隙致高短路电流-Isc及高开压Voc，利用此技能的电池片转换服从的天下记录已到达26.33%；
◎ 高温度系数：电池片功率温度系数低于-0.268%/ºC，更适于低温情况发电；
◎ 可柔性化使用：电池片的布局合适于利用超薄的硅片作为衬底，将来可完成真正的柔性化；
◎ 双面发电：电池片双面吸光，适于制造双玻组件，可增长发电量凌驾10%以上。
HDT电池硅薄膜工艺研发
◎ HDT电池布局共包括四层硅薄膜，此中P型和N型硅掺杂层辨别作为电池的发射极和背电极场构建起电池外部电场，其厚度在5nm左右。在单晶硅片的正背面的本征硅层次要作用是钝化单晶硅表（注：单晶硅外表由于晶体长程有序布局毁坏，发生少量界面缺陷），增长少子寿命，增加少子在界面处的复合。
◎ HDT电池中的本征硅层其厚度在10nm以下，一样平常在5nm左右，而在传统的硅薄膜电池中，本征硅是作为电池的光吸取层，厚度一样平常在200nm～300nm之间，两者差异在50倍左右。因而，在硅薄膜电池中的光致阑珊效应在HDT太阳能电池中不必思索。
HDT电池服从提拔途径
◎ 低落光学丧失（增加制绒面的反射／增加导电氧化物及非晶硅的吸取／进步栅线电极的高宽比）；
◎ 增加外表少子复合速率（优化硅片的洗濯工艺／硅片外表的氢原子钝化／高质量的非晶硅薄膜的制备）；
◎ 增加串联电阻（进步导电氧化物的导电性／增加差别层之间的打仗电阻）
共同的硅外表处置技能
◎ 利用不含IPA的制绒添加剂，进步了制绒的波动性，延伸了溶液的利用寿命；
◎ 去除毁伤层的处置，完全消弭硅片外表的机器毁伤，并无效控制金字塔的尺寸及尺寸散布；
◎ 开辟了共同的洗濯工艺流程，包管了钝化前硅片外表的干净度；
◎ 自主研发了绒面的削尖处置办法，有利于硅薄膜在绒面上的匀称掩盖。
高电导金属成栅工艺
◎ 九游会动力引入半导体集成电路技能观点，接纳特别设置装备摆设完成高电导金属栅线制成，并为客户提供最优工艺，到达设置装备摆设及运营本钱远低于高温银浆工艺。
◎ 九游会动力高电导率质料是银浆电导率的10倍，构成的金属栅线易于焊接，线宽可控制在40µm以下。
自主研发波动高效的PECVD设置装备摆设
◎ 九游会动力拥有自主知识产权的高端PECVD设置装备摆设，运转波动、产能高、一连批量化消费反复性好。
◎ PECVD设置装备摆设接纳共同的RF电极设计，辉光电极间隙可调，低功率起辉波动，载板温度匀称性好，堆积的薄膜厚度匀称。
◎ 工艺窗口宽，低功率薄膜钝化后的晶体硅，其少子寿命可靠近其本征寿命。
自主研发成熟波动的高产出PVD设置装备摆设
◎ 九游会动力自主开辟的旋转靶PVD双面堆积设置装备摆设，靶材使用率进步至80%，维护工夫增加40%，接纳共同的阴极靶座设计，溅射工艺波动性高反复性好，设置装备摆设稼动率高达90%以上。
◎ 预热腔室和堆积腔室配有原位加热元件，TCO薄膜堆积温度可至200 ºC，堆积的薄膜厚度匀称性控制在5%内。
技能抢先战略
锁定有市场生命力的创新技能，以首创工艺专注新型高效电池；
凝结有环球影响力的技能团队，天下太阳能范畴威望专家领衔；
中国泉州和日天职设研发中心，会聚环球顶级资源以继续投入；
构建有技能含金量的专利系统，自主知识产权专利凌驾150项。
低本钱准绳
对准终端利用
以继续低落本钱为目的
高品格为条件
以技能开启平价上彀期间
以技能赢将来
在当今光伏使用市场远景越来越灼烁的大好期间配景下，只要拥有技能创新上风的企业才干真正问鼎天下，才干活着界范畴内站外行业的最岑岭。
